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2002年度 [研究発表（雑誌）] [学術図書]

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最近の研究内容から
 

2002年度京都大学オープンキャンパス資料(pdfファイル)
 

領域密度汎関数理論・量子エネルギー密度
 

エレクトロニクスデバイス材料の量子設計・制御
 

化学反応の電子過程
 

エレクトロマイグレーションのシミュレーション
 

GaN結晶成長のシミュレーション
 

絶縁体薄膜の電子物性・信頼性予測
 

高誘電体結晶・表面の誘電物性予測
 

シランと励起一重項酸素原子の反応
 

H₂O終端シリコン(100)面の酸化初期過程
 

シリコン表面上におけるアルミニウム選択CVD反応機構
 

活性種によるシリコン酸化機構
 

窒化チタン表面上におけるアルミニウムCVD反応
 

銅イオン錯体を用いた銅CVD反応
 

アルキルアミドチタン−アンモニア系の窒化チタンCVD反応
 

III-V族窒化物MOCVD反応
 

チタンイオン−イソブチレン系の気相カチオン重合開始反応
 

領域密度汎関数理論に基づく第一原理計算プログラムの開発
 
 
 
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